RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3355
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link