RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
4100
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link