RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3772
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link