Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

23 30

Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.4 8.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.7 5.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1344 2575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns