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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
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