RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
51
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
47
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1967
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link