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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
51
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
47
读取速度,GB/s
9.8
11.1
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1967
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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