RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2349
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link