RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
10.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2349
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link