RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2382
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link