RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2382
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link