RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3564
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link