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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3564
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparações de RAM
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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