RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3564
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link