RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2920
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link