RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
4039
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link