RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3431
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link