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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
18.5
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3431
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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