RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
49
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2961
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link