RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
49
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2961
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link