RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
49
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
46
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2961
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Qimonda ITC 1GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link