RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
49
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2961
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link