RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2389
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link