Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

39 59

Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.4 1,702.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

10600 6400

Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1770 563

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns