Comparação RAM Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Pontuação geral

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

39 59

Por volta de 34% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.4 1,702.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

10600 6400

Por volta de 1.66% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1770 563

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns