Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Puntuación global

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

39 59

En 34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.4 1,702.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

10600 6400

En 1.66% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1770 563

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns