Confronto tra le RAM Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

39 59

Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.4 1,702.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

10600 6400

Intorno 1.66% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1770 563

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns