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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 59
    周辺 34% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 1,702.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
    周辺 1.66% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 12.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 59
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 3,560.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 1,702.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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