RAM-Vergleich Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Gesamtnote

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

39 59

Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.4 1,702.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

10600 6400

Rund um 1.66% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 12.8

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1770 563

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns