RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
1949
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link