RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3857
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link