RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
44
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2782
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link