RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
44
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
39
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2782
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link