RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
44
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2783
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link