RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
44
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2783
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link