RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
44
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
34
Velocità di lettura, GB/s
11.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2783
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Segnala un bug
×
Bug description
Source link