RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
46
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2453
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link