RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3698
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link