RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2601
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link