RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2834
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link