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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.1
16.8
写入速度,GB/s
7.8
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2834
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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