RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
4207
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link