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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.1
20.1
写入速度,GB/s
7.8
18.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
4207
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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