RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2256
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link