RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3581
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link