RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2611
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link