RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2688
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 0000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link