RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2419
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link