RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
77
Wokół strony -353% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3528
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link