RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
77
Около -353% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
17
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
21.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3528
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link