RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
77
Autour de -353% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
17
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3528
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link